超致MOS管主要由載流子導電，也稱為單極晶體管。屬于壓控半導體器件。具有輸入電阻高（10M~1000MΩ）、噪聲低、功耗低、動態范圍寬、易于集成、無二次擊穿現象、安全工作區域大等優點，現已成為功能強大的雙極晶體管、功率晶體管競爭者。

　　一、超致MOS管中的寄生二極管

　　MOS管內部有一個二極管標識，但這是MOS管的體二極管，也叫寄生二極管。這存在于單個 MOS 管器件中，但不存在于集成電路光刻中。可起到反向保護和續流作用。正向電壓降通常約為 0.7 至 1V。由于此二極管的存在，MOS 器件不能簡單地視為電路中的開關。例如，在充電電路中，在充電完成并移除電源后，電池會反向向外界供電，這通常是不希望的結果。一種常見的解決方案是在背面添加一個二極管以防止反向功率傳輸。這是可能的，但二極管的特性要求正向壓降為 0.6 至 1V。對于大電流，會在產生熱量的同時產生能量。它被浪費了，使整臺機器的能源效率降低。另一種方法是背靠背添加MOS管，利用MOS管的低導通電阻來達到節能的目的。此功能的另一個常見應用是低壓同步整流。

　　二、超致MOS管的寄生電容

　　超致MOS管柵極通過金屬氧化物與襯底形成電容，這稱為寄生電容。 超致MOS管質量越高，金屬膜越薄，寄生電容越大。 MOS管常見的寄生電容在nF量級。該參數是MOS管選型中很重要的參數之一，應明確考慮。

　　那為什么這個寄生電容很重要呢?在用超致MOS管控制大電流的開/關時，往往需要幾十kHz到幾MHz的開關頻率。在該應用中，柵極信號具有交流特性。頻率越高，交流分量和寄生電容就越高。通過以交流電的形式通過電流可以形成柵極電流。功耗和發熱問題不容忽視，成為大問題。追求高速需要強大的柵極驅動，這就是原因。想象一個微弱的驅動信號立即變為高電平。然而，“填充”寄生電容需要時間，會減慢上升沿，并對開關頻率構成重大威脅，直至其失效。 .

　　三、超致MOS管過熱的原因

　　超致MOS管發熱的主要原因之一是寄生電容在頻繁循環開關時表現出交流特性，具有阻抗和整形電流。有電流就會發熱，沒有電場就沒有電流。另一個原因是當柵極電壓緩慢增加時，ON 狀態需要“通過”一個從 OFF 到 ON 的臨界點。此時，導通電阻較大，發熱比較強烈。第三個原因是導通后通道內有電阻，電流過大產生熱量。主要的熱量考慮因素是第 1 點和第 3 點。許多MOS晶體管具有高結溫保護。結溫是金屬氧化物下方溝道區的溫度，通常為150攝氏度。超過這個溫度，MOS管就不能導通了。當溫度下降時恢復活力。請注意此保護狀態的后果。重要的對策是加散熱片，布線時也要考慮散熱問題。同時，在選擇機型時要注意以上參數。

　　四、如何區分超感應超致MOS管管腳

　　上面我們提到了寄生二極管，這個二極管可以用來確定管腳。使用萬用表二極管齒輪測試三個引腳中的每一個。如果發現其中一個引腳和另外兩個引腳無法檢測到二極管，則此引腳為門控 GATE。如果可以測試二極管的壓降，則可以根據MOS的N型和P型來確定源漏。

　　五、超致MOS管選擇要慎重

　　1. VDSS（故障電壓）：該電壓應適當地選擇，通常是求和電壓值的峰值的兩倍。

　　2、VGS(th)（開啟電壓）：NMOS的情況下，Vgs超過一定值時開啟，所以適合源極接地（低邊驅動）時。 PMOS 在 Vgs 下降到一定值以下時開啟，因此適合將源極連接到 VCC（高端驅動）。

　　3. RDS(on)（漏源電阻）：該值應保持盡可能低，因為太大的電阻會增加功耗。并且當功耗增加時，溫度升高會加速。

　　4、ID(on-current)：請注意這個電流值一般是在散熱充分的條件下測得的，是實驗室條件下的參數值。一般來說，如果MOS管散熱不好，這些限制參數就會大大降低。

　　六、總結

　　總之，要想安全穩定地使用超致MOS管，除了以上幾點，還有很多需要注意的地方，還有各種安全措施。廣大電子愛好者、電子行業從業人員及有經驗技術人員應根據實際情況，采取切實措施，安全有效地使用超致MOS管。